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hm2.0 - Hartmetrische Steckverbinder

Hohe Kontaktdichte
Die hartmetrische Steckverbinderreihe hm2.0 wurde in Anlehnung an die internationale Normung IEC 61076-4-101 entwickelt. Der im 2 mm Raster geschirmte Steckverbinder eignet sich für Anwendungen, die eine hohe Kontaktdichte und Zuverlässigkeit fordern. Die Standardisierung gewährleistet die Kompatibilität der Steckverbinder unter verschiedenen Herstellern.

Breite Auswahl an Bauformen
Modulare Steckverbinder im Raster 2 mm
5 oder 8 Signalreihen
12 verschiedene Stiftlängen
Individuelles Bestückungsbild möglich
Mit oder ohne Schirmung erhältlich
Datenübertragungsraten bis zu 3,125 Gbit/s möglich
Robustes Design
Zubehör wie Shrouds und Kodierungen

Weitere Informationen zu hm2.0

hm2.0 Messerleiste Bauform AB19 Art.Nr. 243-63310-15

GRATIS Muster

Beschreibung Technische Daten Abmessungen Derating Diagramm Lochspezifikation Varianten

Abbildung ähnlich

Polzahl 127
Anschlusslänge 3.7 mm
für Leiterplattendicke > 2.2 mm
getestet nach IEC 61076-4-101

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Grundlagen

Spezifikation	IEC 61076-4-101
Gütestufe	2
Anzahl Kontakte	127
Anschlusstechnik	Einpresstechnik
Anschlusslänge	3.7 mm
Betriebstemperatur	-55°C bis +125°C

Material

Isolierkörper	PBT glasfaserverstärkt, UL 94 V-0
Kontaktmaterial	Bronze

Mechanisch

Rastermaß	2.0 mm
Steckkraft pro Kontakt	Kontakt: max. 0.75 N, Abschirmung: max. 1 N
Ziehkraft pro Kontakt	Kontakt: min. 0.15 N, Abschirmung: min. 0.15 N
Lebensdauer	> 250 Steckzyklen

Elektrisch

Betriebsstrom	1.5 A @ +20°C, 1.0 A @ +70°C
Durchgangswiderstand	max. 20 mΩ
Luft- und Kriechstrecke	≥ 0.8 mm
Isolationswiderstand	min. 10⁴ MΩ
Prüfspannung	750 V r.m.s
Datenübertragung	3.125 Gbit/s

Zulassungen / Konformität

UL file	E130314
Umwelt	RoHS konform

hm AB19 ML Zeichnung Abmessungen1.png hm AB19 ML Lochbild.png

Details entnehmen Sie bitte der Kundenzeichnung unter Downloads oder wenden Sie sich direkt an ept.

Material	chem. Sn Schicht
Nennloch	Ø 0.6 mm
A Leiterplattendicke	min 2.2 mm
B Endloch	Ø 0.60 ±0.05 mm
C Grundbohrung	0.70 ±0.02 mm
D Cu Schicht	min. 25 µm
E Oberfläche	max. 1.5 µm; chem. Sn Leiterplatten
F Restring	min. 0.1 mm

Material	Ni, Au Leiterplatten
Nennloch	Ø 0.6 mm
A Leiterplattendicke	min 2.2 mm
B Endloch	Ø 0.60 ±0.05 mm
C Grundbohrung	0.70 ±0.02 mm
D Cu Schicht	min. 25 µm
E Oberfläche	Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni
F Restring	min. 0.1 mm

Material	rein Cu Leiterplatten
Nennloch	Ø 0.6 mm
A Leiterplattendicke	min 2.2 mm
B Endloch	Ø 0.60 ±0.05 mm
C Grundbohrung	0.70 ±0.02 mm
D Cu Schicht	min. 25 µm
E Oberfläche	OSP*,z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm
F Restring	min. 0.1 mm

Material	HAL Sn Leiterplatten
Nennloch	Ø 0.6 mm
A Leiterplattendicke	min 2.2 mm
B Endloch	Ø 0.60 ±0.05 mm
C Grundbohrung	0.70 ±0.02 mm
D Cu Schicht	min. 25 µm
E Oberfläche	HAL Sn, 5 - 15 µm
F Restring	min. 0.1 mm